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货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Renesas(瑞萨) |
| 系列: | - |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | 2 N 沟道（双）共漏 |
| FET 功能: | 标准 |
| 漏源电压（Vdss）: | 20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 10.1A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 13 毫欧 @ 6.5A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 11nC @ 4V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 900pF @ 10V |
| 功率 - 最大值: | 3.6W |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 4-VDFN |
| 供应商器件封装: | 4-QFN（2x2） |
| 标准包装: | 1 |
GWS9294
型号：GWS9294
品牌：Renesas瑞萨
描述：MOSFET 2 N-CH 20V 10.1A 4QFN
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