BSM35GB120DN2HOSA1

制造商编号:
BSM35GB120DN2HOSA1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
IGBT MOD 1200V 50A 280W
规格说明书:
BSM35GB120DN2HOSA1说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 托盘

定价(含税)

阶梯 单价 总价
10 834.347255 8343.47

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: -
包装: 托盘
零件状态: 最后售卖
IGBT 类型: -
配置: 半桥
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50 A
功率 - 最大值: 280 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 3.2V @ 15V,35A
电流 - 集电极截止(最大值): 1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 2 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
标准包装: 10

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BSM35GB120DN2HOSA1

型号:BSM35GB120DN2HOSA1

品牌:Infineon英飞凌

描述:IGBT MOD 1200V 50A 280W

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