库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥14.224004 | ￥14.22 |
| 10 | ￥12.27069 | ￥122.71 |
| 100 | ￥11.150301 | ￥1115.03 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | OptiMOS™ |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 25 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 90A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 3.2 毫欧 @ 60A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2V @ 70µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 41 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 5200 pF @ 15 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 115W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | PG-TO252-3-11 |
| 封装/外壳: | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 标准包装: | 2,500 |
IPD03N03LA G
型号：IPD03N03LA G
品牌：Infineon英飞凌
描述：MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3
库存：0
单价：
| 1+： | ￥14.224004 |
| 10+： | ￥12.27069 |
| 100+： | ￥11.150301 |
| 500+： | ￥10.669396 |
| 1000+： | ￥10.589087 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥14.22