NTB60N06LG

制造商编号:
NTB60N06LG
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
规格说明书:
NTB60N06LG说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 60A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 16 毫欧 @ 30A,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 65 nC @ 5 V
Vgs(最大值): ±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3075 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.4W(Ta),150W(Tj)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D²PAK
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装: 50

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
RSJ400N06FRATL Rohm Semiconductor ¥12.44000 类似
IRFZ48RSPBF Vishay Siliconix ¥29.11000 类似

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型号:NTB60N06LG

品牌:ON安森美

描述:MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK

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