库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥15.56683 | ￥15.57 |
| 5000 | ￥7.841218 | ￥39206.09 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | OptiMOS™ |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 最后售卖 |
| FET 类型: | 2 N-通道（双） |
| FET 功能: | 逻辑电平栅极，4.5V 驱动 |
| 漏源电压（Vdss）: | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 9.5A（Ta），25A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 9.5 毫欧 @ 9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 5.6nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 800pF @ 15V |
| 功率 - 最大值: | 1.9W（Ta），31W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-PowerVDFN |
| 供应商器件封装: | PG-WISON-8 |
| 标准包装: | 5,000 |
BSZ0910NDXTMA1
型号：BSZ0910NDXTMA1
品牌：Infineon英飞凌
描述：DIFFERENTIATED MOSFETS
库存：0
单价：
| 1+： | ￥15.56683 |
| 5000+： | ￥7.841218 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥15.57