库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 20 | ￥328.140563 | ￥6562.81 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Microchip(微芯) |
| 系列: | POWER MOS 7® |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| IGBT 类型: | PT |
| 配置: | 单路 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 600 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 100 A |
| 功率 - 最大值: | 329 W |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 2.7V @ 15V，50A |
| 电流 - 集电极截止（最大值）: | 525 µA |
| 不同 Vce 时输入电容 (Cies): | 5.7 nF @ 25 V |
| 输入: | 标准 |
| NTC 热敏电阻: | 无 |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 底座安装 |
| 封装/外壳: | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商器件封装: | ISOTOP® |
| 标准包装: | 1 |
APT50GP60JDQ2
型号：APT50GP60JDQ2
品牌：Microchip微芯
描述：IGBT MOD 600V 100A 329W ISOTOP
库存：0
单价：
| 20+： | ￥328.140563 |
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00