- 制造商编号：
- TSM090N03ECP ROG
- 制造商：
- Taiwan Semiconductor台湾积体电路
- 描述：
- MOSFET N-CHANNEL 30V 50A TO252
- 规格说明书：
- TSM090N03ECP ROG说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥15.852802 | ￥15.85 |
| 10 | ￥14.276225 | ￥142.76 |
| 100 | ￥11.473077 | ￥1147.31 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Taiwan Semiconductor(台湾积体电路) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 50A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 9 毫欧 @ 16A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 7.7 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 680 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 40W（Tc） |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | TO-252，（D-Pak） |
| 封装/外壳: | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 标准包装: | 2,500 |
TSM090N03ECP ROG
型号：TSM090N03ECP ROG
品牌：Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述：MOSFET N-CHANNEL 30V 50A TO252
库存：0
单价：
| 1+： | ￥15.852802 |
| 10+： | ￥14.276225 |
| 100+： | ￥11.473077 |
| 500+： | ￥9.426138 |
| 1000+： | ￥7.810259 |
| 2500+： | ￥7.345032 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥15.85