STGWA25M120DF3

制造商编号:
STGWA25M120DF3
制造商:
ST意法半导体
描述:
IGBT 1200V 50A 375W TO247
规格说明书:
STGWA25M120DF3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 94.186632 94.19
10 85.121325 851.21
100 70.474466 7047.45

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 100 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.3V @ 15V,25A
功率 - 最大值: 375 W
开关能量: 850µJ(开),1.3mJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 85 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 28ns/150ns
测试条件: 600V,25A,15欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 265 ns
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: TO-247 长引线
标准包装: 30

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IXA33IF1200HB IXYS ¥67.96000 类似
IXA37IF1200HJ IXYS ¥86.86000 类似
IXDR30N120D1 IXYS ¥76.95000 类似

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STGWA25M120DF3

型号:STGWA25M120DF3

品牌:ST意法半导体

描述:IGBT 1200V 50A 375W TO247

库存:0

单价:

1+: ¥94.186632
10+: ¥85.121325
100+: ¥70.474466
500+: ¥65.36477

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