APT17F80B

制造商编号:
APT17F80B
制造商:
Microchip微芯
描述:
MOSFET N-CH 800V 18A TO247
规格说明书:
APT17F80B说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
70 75.204448 5264.31

规格参数

属性 参数值
制造商: Microchip(微芯)
系列: POWER MOS 8™
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 18A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 580 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 122 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3757 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 500W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247 [B]
封装/外壳: TO-247-3
标准包装: 1

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
STW13N80K5 STMicroelectronics ¥39.47000 类似
IXFH14N60P IXYS ¥45.77000 类似
IXFH16N80P IXYS ¥69.96000 类似

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APT17F80B

型号:APT17F80B

品牌:Microchip微芯

描述:MOSFET N-CH 800V 18A TO247

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