SFAS808GHMNG

制造商编号:
SFAS808GHMNG
制造商:
Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述:
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
规格说明书:
SFAS808GHMNG说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列: Automotive, AEC-Q101
包装: 卷带(TR)
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V
电流 - 平均整流 (Io): 8A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V @ 8 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 35 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 600 V
不同 Vr、F 时电容: 60pF @ 4V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装: TO-263AB(D²PAK)
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
标准包装: 800

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
STTH8R06G-TR STMicroelectronics ¥13.75000 类似
STTH5R06GY-TR STMicroelectronics ¥13.67000 类似

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型号:SFAS808GHMNG

品牌:Taiwan Semiconductor台湾积体电路

描述:DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

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