PSMN4R4-80BS,118

制造商编号:
PSMN4R4-80BS,118
制造商:
Nexperia安世
描述:
MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
规格说明书:
PSMN4R4-80BS,118说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 31.991576 31.99
10 28.702896 287.03
100 23.518968 2351.90

规格参数

属性 参数值
制造商: Nexperia(安世)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.5 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 125 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 8400 pF @ 40 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 306W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D2PAK
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装: 800

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
STH140N8F7-2 STMicroelectronics ¥26.42000 类似

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PSMN4R4-80BS,118

型号:PSMN4R4-80BS,118

品牌:Nexperia安世

描述:MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK

库存:0

单价:

1+: ¥31.991576
10+: ¥28.702896
100+: ¥23.518968
800+: ¥20.021392
1600+: ¥18.091578

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