IRLHS6376TRPBF

制造商编号:
IRLHS6376TRPBF
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 3.6A 6PQFN
规格说明书:
IRLHS6376TRPBF说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 6.736573 6.74
10 5.909034 59.09
100 4.528436 452.84

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: HEXFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 63 毫欧 @ 3.4A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.1V @ 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.8nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 270pF @ 25V
功率 - 最大值: 1.5W
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装: 6-PQFN(2x2)
标准包装: 4,000

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IRLHS6376TRPBF

型号:IRLHS6376TRPBF

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.6A 6PQFN

库存:0

单价:

1+: ¥6.736573
10+: ¥5.909034
100+: ¥4.528436
500+: ¥3.580072
1000+: ¥2.98339
4000+: ¥2.98339

货期:1-2天

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