SI4430BDY-T1-GE3

制造商编号:
SI4430BDY-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
规格说明书:
SI4430BDY-T1-GE3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 18.526019 18.53
10 16.61498 166.15
100 13.357011 1335.70

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: TrenchFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.5 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 36 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值): ±20V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.6W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SOIC
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准包装: 2,500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
NTMS4920NR2G onsemi ¥2.15125 类似
AO4430 Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥7.83000 类似

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SI4430BDY-T1-GE3

型号:SI4430BDY-T1-GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8SO

库存:0

单价:

1+: ¥18.526019
10+: ¥16.61498
100+: ¥13.357011
500+: ¥10.973819
1000+: ¥9.40617
2500+: ¥9.406145

货期:1-2天

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