IRLR3705ZTRPBF

制造商编号:
IRLR3705ZTRPBF
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
规格说明书:
IRLR3705ZTRPBF说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 19.383936 19.38
10 17.378401 173.78
100 13.967624 1396.76

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: HEXFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 42A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8 毫欧 @ 42A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 66 nC @ 5 V
Vgs(最大值): ±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2900 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 130W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D-Pak
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装: 2,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
BUK7212-55B,118 Nexperia USA Inc. ¥12.13000 类似

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IRLR3705ZTRPBF

型号:IRLR3705ZTRPBF

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

库存:0

单价:

1+: ¥19.383936
10+: ¥17.378401
100+: ¥13.967624
500+: ¥11.475837
1000+: ¥10.92927
2000+: ¥10.92927

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