- 制造商编号：
- SQP100P06-9M3L_GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 描述：
- MOSFET P-CH 60V 100A TO220AB
- 规格说明书：
- SQP100P06-9M3L_GE3说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 剪切带（CT）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥26.957689 | ￥26.96 |
| 10 | ￥24.203787 | ￥242.04 |
| 100 | ￥19.827979 | ￥1982.80 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Vishay(威世) |
| 系列: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| 包装: | 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 最后售卖 |
| FET 类型: | P 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 9.3 毫欧 @ 30A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 300 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 12010 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 187W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-220AB |
| 封装/外壳: | TO-220-3 |
| 标准包装: | 500 |
SQP100P06-9M3L_GE3
型号：SQP100P06-9M3L_GE3
品牌：Vishay威世
描述：MOSFET P-CH 60V 100A TO220AB
库存：0
单价：
| 1+： | ￥26.957689 |
| 10+： | ￥24.203787 |
| 100+： | ￥19.827979 |
| 500+： | ￥16.879366 |
| 1000+： | ￥15.252398 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥26.96