IPP041N04NGXKSA1

制造商编号:
IPP041N04NGXKSA1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
规格说明书:
IPP041N04NGXKSA1说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 16.325277 16.33
10 14.619392 146.19
100 11.400962 1140.10

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: OptiMOS™
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 80A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.1 毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 45µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 56 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4500 pF @ 20 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 94W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO220-3-1
封装/外壳: TO-220-3
标准包装: 50

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IPP041N04NGXKSA1

型号:IPP041N04NGXKSA1

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3

库存:0

单价:

1+: ¥16.325277
10+: ¥14.619392
100+: ¥11.400962
500+: ¥9.417932
1000+: ¥8.261399

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