库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 30 | ￥214.530395 | ￥6435.91 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Microchip(微芯) |
| 系列: | POWER MOS 7® |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| IGBT 类型: | PT |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 600 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 100 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 2.7V @ 15V，80A |
| 功率 - 最大值: | 1041 W |
| 输入类型: | 标准 |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | TO-247-3 变式 |
| 供应商器件封装: | T-MAX™ [B2] |
| 标准包装: | 1 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| NGTB45N60S2WG | onsemi | ¥32.18000 | 类似 |
| NGTB45N60SWG | Rochester Electronics, LLC | ¥20.63267 | 类似 |
| STGW60V60DF | STMicroelectronics | ¥44.16000 | 类似 |
APT80GP60B2G
型号：APT80GP60B2G
品牌：Microchip微芯
描述：IGBT 600V 100A 1041W TMAX
库存：0
单价：
| 30+： | ￥214.530395 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00