NTD4813N-35G

制造商编号:
NTD4813N-35G
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N-CH 30V 7.6A/40A IPAK
规格说明书:
NTD4813N-35G说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.6A(Ta),40A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,11.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 13 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7.9 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 860 pF @ 12 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.27W(Ta),35.3W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: I-Pak
封装/外壳: TO-251-3 短截引线,IPak
标准包装: 75

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NTD4813N-35G

型号:NTD4813N-35G

品牌:ON安森美

描述:MOSFET N-CH 30V 7.6A/40A IPAK

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