- 制造商编号：
- CEDM8001 TR PBFREE
- 制造商：
- Central美国中央
- 描述：
- MOSFET P-CH 20V 100MA SOT883
- 规格说明书：
- CEDM8001 TR PBFREE说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.532939 | ￥5.53 |
| 10 | ￥4.764544 | ￥47.65 |
| 100 | ￥3.558736 | ￥355.87 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Central(美国中央) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | P 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 100mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 1.5V，4V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 8 欧姆 @ 10mA，4V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1.1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 0.66 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值）: | 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 45 pF @ 3 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 100mW（Ta） |
| 工作温度: | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | SOT-883 |
| 封装/外壳: | SC-101，SOT-883 |
| 标准包装: | 8,000 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| SSM3J35CT,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | ¥2.76000 | 直接 |
CEDM8001 TR PBFREE
型号：CEDM8001 TR PBFREE
品牌：Central美国中央
描述：MOSFET P-CH 20V 100MA SOT883
库存：0
单价：
| 1+： | ￥5.532939 |
| 10+： | ￥4.764544 |
| 100+： | ￥3.558736 |
| 500+： | ￥2.796011 |
| 1000+： | ￥2.160544 |
| 2000+： | ￥1.969913 |
| 8000+： | ￥1.842817 |
| 16000+： | ￥1.733066 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.53