库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.285874 | ￥4.29 |
| 10 | ￥3.484552 | ￥34.85 |
| 100 | ￥2.372277 | ￥237.23 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | TI(德州仪器) |
| 系列: | NexFET™ |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | P 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 1.6A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 47 毫欧 @ 1A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1.1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 2.9 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值）: | -6V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 478 pF @ 10 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 1W（Ta） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 4-DSBGA（1x1） |
| 封装/外壳: | 4-UFBGA，DSBGA |
| 标准包装: | 3,000 |
CSD25213W10
型号：CSD25213W10
品牌：TI德州仪器
描述：MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA
库存：0
单价：
| 1+： | ￥4.285874 |
| 10+： | ￥3.484552 |
| 100+： | ￥2.372277 |
| 500+： | ￥1.779458 |
| 1000+： | ￥1.334594 |
| 3000+： | ￥1.223366 |
| 6000+： | ￥1.179561 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.29