- 制造商编号：
- IPB180N03S4L01ATMA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 描述：
- MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
- 规格说明书：
- IPB180N03S4L01ATMA1说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1000 | ￥17.91379 | ￥17913.79 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | OptiMOS™ |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 180A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 1.05 毫欧 @ 100A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.2V @ 140µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 239 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 17600 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 188W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | PG-TO263-7-3 |
| 封装/外壳: | TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片） |
| 标准包装: | 1,000 |
IPB180N03S4L01ATMA1
型号：IPB180N03S4L01ATMA1
品牌：Infineon英飞凌
描述：MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
库存：0
单价：
| 1000+： | ￥17.91379 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00