库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 600 | ￥93.329605 | ￥55997.76 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ST(意法半导体) |
| 系列: | MDmesh™ DM6 |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 68A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 40 毫欧 @ 34A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4.75V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 125 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 4900 pF @ 100 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 450W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-247-3 |
| 封装/外壳: | TO-247-3 |
| 标准包装: | 30 |
STW70N65DM6
型号：STW70N65DM6
品牌：ST意法半导体
描述：MOSFET N-CH 650V 68A TO247
库存：0
单价：
| 600+： | ￥93.329605 |
货期：1-2天
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