SI8902EDB-T2-E1

制造商编号:
SI8902EDB-T2-E1
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP
规格说明书:
SI8902EDB-T2-E1说明书

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货期: 8周-10周

封装: 剪切带(CT)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: TrenchFET®
包装: 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N 沟道(双)共漏
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): -
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V @ 980µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -
功率 - 最大值: 1W
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-MICRO FOOT®CSP
供应商器件封装: 6-Micro Foot™(2.36x1.56)
标准包装: 3,000

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SI8902EDB-T2-E1

型号:SI8902EDB-T2-E1

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP

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