IXFN44N80Q3

制造商编号:
IXFN44N80Q3
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
MOSFET N-CH 800V 37A SOT227B
规格说明书:
IXFN44N80Q3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 593.255359 593.26
10 557.291258 5572.91
100 499.761502 49976.15

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: HiPerFET™, Q3 Class
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 37A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 190 毫欧 @ 22A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 6.5V @ 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 185 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 9840 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 780W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
供应商器件封装: SOT-227B
封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC
标准包装: 10

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IXFN44N80Q3

型号:IXFN44N80Q3

品牌:IXYS艾赛斯

描述:MOSFET N-CH 800V 37A SOT227B

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1+: ¥593.255359
10+: ¥557.291258
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