SH8K39GZETB

制造商编号:
SH8K39GZETB
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
描述:
4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. SH8K39
规格说明书:
SH8K39GZETB说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 17.246082 17.25
10 15.458781 154.59
100 12.429375 1242.94

规格参数

属性 参数值
制造商: Rohm Semiconductor(罗姆)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 21 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.7V @ 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 25nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1240pF @ 30V
功率 - 最大值: 1.4W(Ta)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SOP
标准包装: 2,500

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SH8K39GZETB

型号:SH8K39GZETB

品牌:Rohm Semiconductor罗姆

描述:4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. SH8K39

库存:0

单价:

1+: ¥17.246082
10+: ¥15.458781
100+: ¥12.429375
500+: ¥10.211755
1000+: ¥8.46109
2500+: ¥7.957135

货期:1-2天

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