STW70N60DM2

制造商编号:
STW70N60DM2
制造商:
ST意法半导体
描述:
MOSFET N-CH 600V 66A TO247
规格说明书:
STW70N60DM2说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 117.634006 117.63
10 108.070104 1080.70
100 91.274589 9127.46

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: MDmesh™ DM2
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 66A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 42 毫欧 @ 33A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 121 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5508 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 446W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-3
封装/外壳: TO-247-3
标准包装: 30

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
FCH041N60F-F085 Rochester Electronics, LLC ¥115.27000 类似
APT77N60BC6 Microchip Technology ¥106.59000 类似
IXKH70N60C5 IXYS ¥181.70000 类似

客服

购物车

STW70N60DM2

型号:STW70N60DM2

品牌:ST意法半导体

描述:MOSFET N-CH 600V 66A TO247

库存:0

单价:

1+: ¥117.634006
10+: ¥108.070104
100+: ¥91.274589
500+: ¥89.085858

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥117.63