货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥23.640696 | ¥23.64 |
10 | ¥21.237872 | ¥212.38 |
100 | ¥17.070429 | ¥1707.04 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Infineon(英飞凌) |
系列: | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 个 P 沟道(双) |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 55V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 3.4A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 105 毫欧 @ 3.4A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 38nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 690pF @ 25V |
功率 - 最大值: | 2W |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装: | 8-SOIC |
标准包装: | 4,000 |
AUIRF7342QTR
型号:AUIRF7342QTR
品牌:Infineon英飞凌
描述:MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC
库存:0
单价:
1+: | ¥23.640696 |
10+: | ¥21.237872 |
100+: | ¥17.070429 |
500+: | ¥14.024723 |
1000+: | ¥13.356971 |
4000+: | ¥13.356971 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥23.64