库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥553.915544 | ￥553.92 |
| 10 | ￥520.367285 | ￥5203.67 |
| 100 | ￥466.648046 | ￥46664.80 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | IXYS(艾赛斯) |
| 系列: | Linear |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 500 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 62A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 20V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 100 毫欧 @ 31A，20V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 5.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 550 nC @ 20 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 11500 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 800W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | PLUS264™ |
| 封装/外壳: | TO-264-3，TO-264AA |
| 标准包装: | 25 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| APT56M50L | Microchip Technology | ¥92.31000 | 直接 |
IXTB62N50L
型号：IXTB62N50L
品牌：IXYS艾赛斯
描述：MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264
库存：0
单价：
| 1+： | ￥553.915544 |
| 10+： | ￥520.367285 |
| 100+： | ￥466.648046 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥553.92