RSH065N06TB1

制造商编号:
RSH065N06TB1
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
描述:
MOSFET N-CH 60V 6.5A 8SOP
规格说明书:
RSH065N06TB1说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 11.204824 11.20
10 10.022789 100.23
100 7.817958 781.80

规格参数

属性 参数值
制造商: Rohm Semiconductor(罗姆)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 不适用于新设计
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 37 毫欧 @ 6.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 16 nC @ 5 V
Vgs(最大值): 20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 900 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2W(Ta)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SOP
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准包装: 2,500

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RSH065N06TB1

型号:RSH065N06TB1

品牌:Rohm Semiconductor罗姆

描述:MOSFET N-CH 60V 6.5A 8SOP

库存:0

单价:

1+: ¥11.204824
10+: ¥10.022789
100+: ¥7.817958
500+: ¥6.45815
1000+: ¥5.098605
2500+: ¥4.758699
5000+: ¥4.635104

货期:1-2天

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