IRFR3707ZPBF

制造商编号:
IRFR3707ZPBF
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
规格说明书:
IRFR3707ZPBF说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: HEXFET®
包装: 管件
零件状态: Digi-Key 停止提供
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 56A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 9.5 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.25V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 14 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1150 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 50W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D-Pak
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装: 75

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型号 品牌 参考价格 说明
IPD090N03LGATMA1 Infineon Technologies ¥6.99000 类似

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品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET N-CH 30V 56A DPAK

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