APTGT20DDA60T3G

制造商编号:
APTGT20DDA60T3G
制造商:
Microsemi美高森美
描述:
IGBT MODULE 600V 32A 62W SP3
规格说明书:
APTGT20DDA60T3G说明书

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货期: 8周-10周

封装: 散装

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规格参数

属性 参数值
制造商: Microsemi(美高森美)
系列: -
包装: 散装
零件状态: 停产
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 双路升压斩波器
电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 32 A
功率 - 最大值: 62 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.9V @ 15V,20A
电流 - 集电极截止(最大值): 250 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 1.1 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
工作温度: -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 底座安装
封装/外壳: SP3
供应商器件封装: SP3
标准包装: 1

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APTGT20DDA60T3G

型号:APTGT20DDA60T3G

品牌:Microsemi美高森美

描述:IGBT MODULE 600V 32A 62W SP3

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