库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥208.162829 | ￥208.16 |
| 100 | ￥191.209656 | ￥19120.97 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Microchip(微芯) |
| 系列: | POWER MOS 7® |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| IGBT 类型: | PT |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 1200 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 113 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 170 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 3.9V @ 15V，45A |
| 功率 - 最大值: | 625 W |
| 开关能量: | 900µJ（开），905µJ（关） |
| 输入类型: | 标准 |
| 栅极电荷: | 185 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值: | 18ns/100ns |
| 测试条件: | 600V，45A，5 欧姆，15V |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | TO-247-3 变式 |
| 标准包装: | 1 |
APT45GP120B2DQ2G
型号：APT45GP120B2DQ2G
品牌：Microchip微芯
描述：IGBT 1200V 113A 625W TMAX
库存：0
单价：
| 1+： | ￥208.162829 |
| 100+： | ￥191.209656 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥208.16