DMG1013UWQ-13

制造商编号:
DMG1013UWQ-13
制造商:
Diodes美台
描述:
MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
规格说明书:
DMG1013UWQ-13说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
10000 0.54786 5478.60

规格参数

属性 参数值
制造商: Diodes(美台)
系列: Automotive, AEC-Q101
包装: 卷带(TR)
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 820mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 750 毫欧 @ 430mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.62 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值): ±6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 59.76 pF @ 16 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 310mW(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-323
封装/外壳: SC-70,SOT-323
标准包装: 10,000

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DMG1013UWQ-13

型号:DMG1013UWQ-13

品牌:Diodes美台

描述:MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323

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