EPC2101

制造商编号:
EPC2101
制造商:
EPC
描述:
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
规格说明书:
EPC2101说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 67.128844 67.13
10 60.24189 602.42
100 49.360278 4936.03

规格参数

属性 参数值
制造商: EPC
系列: eGaN®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 个 N 通道(半桥)
FET 功能: GaNFET(氮化镓)
漏源电压(Vdss): 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.5A,38A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 11.5 毫欧 @ 20A,5V,2.7 毫欧 @ 20A,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 3mA,2.5V @ 12mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.7nC @ 5V,12nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 300pF @ 30V,1200pF @ 30V
功率 - 最大值: -
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 模具
供应商器件封装: 模具
标准包装: 500

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EPC2101

型号:EPC2101

品牌:EPC

描述:GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID

库存:0

单价:

1+: ¥67.128844
10+: ¥60.24189
100+: ¥49.360278
500+: ¥42.019921
1000+: ¥35.438484

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥67.13