货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥61.541041 | ¥61.54 |
10 | ¥55.227357 | ¥552.27 |
100 | ¥45.25153 | ¥4525.15 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | EPC |
系列: | eGaN® |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 个 N 通道(半桥) |
FET 功能: | GaNFET(氮化镓) |
漏源电压(Vdss): | 60V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 9.5A,38A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 11.5 毫欧 @ 20A,5V,2.7 毫欧 @ 20A,5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.5V @ 3mA,2.5V @ 12mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 2.7nC @ 5V,12nC @ 5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 300pF @ 30V,1200pF @ 30V |
功率 - 最大值: | - |
工作温度: | -40°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 模具 |
供应商器件封装: | 模具 |
标准包装: | 500 |
EPC2101
型号:EPC2101
品牌:EPC
描述:GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
库存:0
单价:
1+: | ¥61.541041 |
10+: | ¥55.227357 |
100+: | ¥45.25153 |
500+: | ¥38.522184 |
1000+: | ¥32.488586 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥61.54