1N5406-G

制造商编号:
1N5406-G
制造商:
Comchip台湾典琦
描述:
DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
规格说明书:
1N5406-G说明书

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货期: 8周-10周

封装: 带盒(TB)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
6000 1.036015 6216.09

规格参数

属性 参数值
制造商: Comchip(台湾典琦)
系列: -
包装: 带盒(TB)
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V
电流 - 平均整流 (Io): 3A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 3 A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 600 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-201AD,轴向
供应商器件封装: DO-27(DO-201AD)
工作温度 - 结: -65°C ~ 125°C
标准包装: 1,200

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
MUR460G onsemi ¥5.30000 类似
60S6-TP Micro Commercial Co ¥7.83000 类似
STTH3L06 STMicroelectronics ¥7.07000 类似
1N5420 Microchip Technology ¥58.37000 类似
STTH5L06 STMicroelectronics ¥13.44000 类似

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1N5406-G

型号:1N5406-G

品牌:Comchip台湾典琦

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