货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥15.08192 | ¥15.08 |
10 | ¥13.491667 | ¥134.92 |
100 | ¥10.515816 | ¥1051.58 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Vishay(威世) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 个 P 沟道(双) |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 20V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 4.9A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 32 毫欧 @ 6.5A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 21nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | - |
功率 - 最大值: | 1.1W |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装: | 8-SOIC |
标准包装: | 2,500 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
NVMD6P02R2G | onsemi | ¥4.01372 | 类似 |
SI4963BDY-T1-E3
型号:SI4963BDY-T1-E3
品牌:Vishay威世
描述:MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8-SOIC
库存:0
单价:
1+: | ¥15.08192 |
10+: | ¥13.491667 |
100+: | ¥10.515816 |
500+: | ¥8.687087 |
1000+: | ¥6.858146 |
2500+: | ¥6.858183 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥15.08