FQPF9N15

制造商编号:
FQPF9N15
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N-CH 150V 6.9A TO220F
规格说明书:
FQPF9N15说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: QFET®
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.9A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 400 毫欧 @ 3.45A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 13 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 410 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 44W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220F-3
封装/外壳: TO-220-3 整包
标准包装: 50

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
RCX100N25 Rohm Semiconductor ¥15.67000 直接

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FQPF9N15

型号:FQPF9N15

品牌:ON安森美

描述:MOSFET N-CH 150V 6.9A TO220F

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