1N4006-T

制造商编号:
1N4006-T
制造商:
Diodes美台
描述:
DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
规格说明书:
1N4006-T说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 2.101273 2.10
10 1.891146 18.91
100 1.029375 102.94

规格参数

属性 参数值
制造商: Diodes(美台)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 不适用于新设计
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 800 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 1 A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 800 V
不同 Vr、F 时电容: 8pF @ 4V,1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL,DO-41,轴向
供应商器件封装: DO-41
工作温度 - 结: -65°C ~ 150°C
标准包装: 5,000

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1N4006-T

型号:1N4006-T

品牌:Diodes美台

描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

库存:0

单价:

1+: ¥2.101273
10+: ¥1.891146
100+: ¥1.029375
500+: ¥0.633093
1000+: ¥0.431706
2000+: ¥0.366964
5000+: ¥0.330969
10000+: ¥0.2878
25000+: ¥0.259029
50000+: ¥0.230245
125000+: ¥0.21847

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥2.10