货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥5.346435 | ¥5.35 |
10 | ¥4.545713 | ¥45.46 |
100 | ¥3.396478 | ¥339.65 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Diodes(美台) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 N-通道(双) |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 20V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 7.63A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 28 毫欧 @ 6A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.2V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 15.6nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 550pF @ 10V |
功率 - 最大值: | 1.16W |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装: | 8-SO |
标准包装: | 2,500 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
IRF7301TRPBF | Infineon Technologies | ¥7.60000 | 类似 |
DMN2041LSD-13
型号:DMN2041LSD-13
品牌:Diodes美台
描述:MOSFET 2N-CH 20V 7.63A 8SO
库存:0
单价:
1+: | ¥5.346435 |
10+: | ¥4.545713 |
100+: | ¥3.396478 |
500+: | ¥2.669015 |
1000+: | ¥2.062294 |
2500+: | ¥1.880379 |
5000+: | ¥1.759052 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥5.35