LP1030DK1-G

制造商编号:
LP1030DK1-G
制造商:
Microchip微芯
描述:
MOSFET 2P-CH 300V SOT23-5
规格说明书:
LP1030DK1-G说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Microchip(微芯)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 停产
FET 类型: 2 个 P 沟道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 300V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 180 欧姆 @ 20mA,7V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 10.8pF @ 25V
功率 - 最大值: -
工作温度: -25°C ~ 125°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-74A,SOT-753
供应商器件封装: SOT-23-5
标准包装: 2,500

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LP1030DK1-G

型号:LP1030DK1-G

品牌:Microchip微芯

描述:MOSFET 2P-CH 300V SOT23-5

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