- 制造商编号：
- SIZF914DT-T1-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 描述：
- DUAL N-CH 25-V (D-S) MOSFET W/SC
- 规格说明书：
- SIZF914DT-T1-GE3说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 6000 | ￥8.189508 | ￥49137.05 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Vishay(威世) |
| 系列: | PowerPAIR®, TrenchFET® |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 N-通道（双） |
| FET 功能: | 标准 |
| 漏源电压（Vdss）: | 25V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 23.5A（Ta），40A（Tc），52A（Ta），60A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 3.8毫欧 @ 10A，10V，0.9毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.4V @ 250µA，2.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 21nC @ 10V，98nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1050pF @ 10V，4670pF @ 10V |
| 功率 - 最大值: | 3.4W (Ta)，26.6W (Tc)，4W (Ta)，60W (Tc) |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-PowerWDFN |
| 供应商器件封装: | 8-PowerPair®（6x5） |
| 标准包装: | 3,000 |
SIZF914DT-T1-GE3
型号：SIZF914DT-T1-GE3
品牌：Vishay威世
描述：DUAL N-CH 25-V (D-S) MOSFET W/SC
库存：0
单价：
| 6000+： | ￥8.189508 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00