TK31J60W5,S1VQ

制造商编号:
TK31J60W5,S1VQ
制造商:
Toshiba东芝
描述:
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO3P
规格说明书:
TK31J60W5,S1VQ说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
25 75.581683 1889.54

规格参数

属性 参数值
制造商: Toshiba(东芝)
系列: DTMOSIV
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 30.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 88 毫欧 @ 15.4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.7V @ 1.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 105 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3000 pF @ 300 V
FET 功能: 超级结
功率耗散(最大值): 230W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-3P(N)
封装/外壳: TO-3P-3,SC-65-3
标准包装: 25

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
FCA47N60-F109 onsemi ¥77.72000 类似
FCA36N60NF onsemi ¥88.86000 类似
FCA35N60 onsemi ¥56.75000 类似

客服

购物车

TK31J60W5,S1VQ

型号:TK31J60W5,S1VQ

品牌:Toshiba东芝

描述:MOSFET N-CH 600V 30.8A TO3P

库存:0

单价:

25+: ¥75.581683

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥0.00