SQ1470EH-T1-GE3

制造商编号:
SQ1470EH-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70
规格说明书:
SQ1470EH-T1-GE3说明书

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货期: 8周-10周

封装: 剪切带(CT)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: -
包装: 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.8A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 65 毫欧 @ 3.8A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.6V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6.6 nC @ 4.5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 610 pF @ 25 V
FET 功能: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SC-70-6
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准包装: 3,000

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SQ1470EH-T1-GE3

型号:SQ1470EH-T1-GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70

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