库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥17.075103 | ￥17.08 |
| 10 | ￥15.371012 | ￥153.71 |
| 100 | ￥12.354943 | ￥1235.49 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Rohm Semiconductor(罗姆) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 10A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 1.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 12 毫欧 @ 10A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 24 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值）: | ±10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 2250 pF @ 10 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 2W（Ta） |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 8-SOP |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装: | 2,500 |
RUS100N02TB
型号：RUS100N02TB
品牌：Rohm Semiconductor罗姆
描述：MOSFET N-CH 20V 10A 8SOP
库存：0
单价：
| 1+： | ￥17.075103 |
| 10+： | ￥15.371012 |
| 100+： | ￥12.354943 |
| 500+： | ￥10.150932 |
| 1000+： | ￥8.410788 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥17.08