DMT3022UEV-13

制造商编号:
DMT3022UEV-13
制造商:
Diodes美台
描述:
MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333
规格说明书:
DMT3022UEV-13说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
3000 2.55863 7675.89

规格参数

属性 参数值
制造商: Diodes(美台)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 17A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 22 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 13.9nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 903pF @ 15V
功率 - 最大值: 900mW(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerVDFN
供应商器件封装: PowerDI3333-8(UXD 类)
标准包装: 3,000

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DMT3022UEV-13

型号:DMT3022UEV-13

品牌:Diodes美台

描述:MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333

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