HER306G B0G

制造商编号:
HER306G B0G
制造商:
Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述:
DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
规格说明书:
HER306G B0G说明书

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货期: 8周-10周

封装: 散装

定价(含税)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列: -
包装: 散装
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V
电流 - 平均整流 (Io): 3A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V @ 3 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 75 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 600 V
不同 Vr、F 时电容: 35pF @ 4V,1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-201AD,轴向
供应商器件封装: DO-201AD
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
标准包装: 500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
UF5406-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥4.91000 直接
60S6-TP Micro Commercial Co ¥7.83000 类似
STTH3L06 STMicroelectronics ¥7.07000 类似
1N5406-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥4.22000 类似
GI506-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥3.84000 类似

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HER306G B0G

型号:HER306G B0G

品牌:Taiwan Semiconductor台湾积体电路

描述:DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

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