IXYA15N65C3D1

制造商编号:
IXYA15N65C3D1
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
DISC IGBT XPT-GENX3 TO-263D2
规格说明书:
IXYA15N65C3D1说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
300 19.650081 5895.02

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: GenX3™, XPT™
包装: 管件
零件状态: 在售
IGBT 类型: PT
电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 38 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 80 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.5V @ 15V,15A
功率 - 最大值: 200 W
开关能量: 270µJ(开),230µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 19 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 15ns/68ns
测试条件: 400V,15A,20 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 20 ns
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装: TO-263AA
标准包装: 50

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IXYA15N65C3D1

型号:IXYA15N65C3D1

品牌:IXYS艾赛斯

描述:DISC IGBT XPT-GENX3 TO-263D2

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