货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥28.359717 | ¥28.36 |
10 | ¥25.508927 | ¥255.09 |
100 | ¥20.902183 | ¥2090.22 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | IXYS(艾赛斯) |
系列: | Ultra X2 |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 700 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 4A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 850 毫欧 @ 2A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 11.8 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 386 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 30W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-220 隔离的标片 |
封装/外壳: | TO-220-3 全封装,隔离接片 |
标准包装: | 50 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
STP10NK60ZFP | STMicroelectronics | ¥28.49000 | 类似 |
TK7A60W5,S5VX | Toshiba Semiconductor and Storage | ¥13.13000 | 类似 |
R6008ANX | Rohm Semiconductor | ¥23.88000 | 类似 |
R6007ENX | Rohm Semiconductor | ¥17.20000 | 类似 |
IPA70R750P7SXKSA1 | Infineon Technologies | ¥10.21000 | 类似 |
IXTP4N70X2M
型号:IXTP4N70X2M
品牌:IXYS艾赛斯
描述:MOSFET N-CH 700V 4A TO220
库存:0
单价:
1+: | ¥28.359717 |
10+: | ¥25.508927 |
100+: | ¥20.902183 |
500+: | ¥17.793693 |
1000+: | ¥15.006781 |
2000+: | ¥14.616972 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥28.36