- 制造商编号：
- IPP60R080P7XKSA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 描述：
- MOSFET N-CH 650V 37A TO220-3
- 规格说明书：
- IPP60R080P7XKSA1说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥65.413012 | ￥65.41 |
| 10 | ￥58.754835 | ￥587.55 |
| 100 | ￥48.140918 | ￥4814.09 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | CoolMOS™ P7 |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 37A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 80 毫欧 @ 11.8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 590µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 51 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 2180 pF @ 400 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 129W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | PG-TO220-3 |
| 封装/外壳: | TO-220-3 |
| 标准包装: | 50 |
IPP60R080P7XKSA1
型号：IPP60R080P7XKSA1
品牌：Infineon英飞凌
描述：MOSFET N-CH 650V 37A TO220-3
库存：0
单价：
| 1+： | ￥65.413012 |
| 10+： | ￥58.754835 |
| 100+： | ￥48.140918 |
| 500+： | ￥41.146314 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥65.41