RJK0851DPB-00#J5

制造商编号:
RJK0851DPB-00#J5
制造商:
Renesas瑞萨
描述:
MOSFET N-CH 80V 20A LFPAK
规格说明书:
RJK0851DPB-00#J5说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
2500 7.973039 19932.60

规格参数

属性 参数值
制造商: Renesas(瑞萨)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 23 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 14 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2050 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 45W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: LFPAK
封装/外壳: SC-100,SOT-669
标准包装: 2,500

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RJK0851DPB-00#J5

型号:RJK0851DPB-00#J5

品牌:Renesas瑞萨

描述:MOSFET N-CH 80V 20A LFPAK

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